เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (NASDAQ: WDC) ประกาศว่าบริษัทเริ่มผลิตเทคโนโลยีชิป 3D NAND ใหม่แบบนำร่องภายใต้ชื่อ BiCS3 ที่มาพร้อมกับความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลแบบแนวตั้ง 64 เลเยอร์ จัดเก็บข้อมูลได้ 3 บิตต่อเซลล์ (X3) ความจุสูงถึง 512 กิกกะไบต์ (Gb) ที่เมืองยกไกชิ ประเทศญี่ปุ่น สำหรับการผลิตปริมาณมากในเชิงพาณิชย์คาดว่าจะเกิดขึ้นในช่วงครึ่งแรกของ ปี 2560 นี้ ชิปรุ่นนี้ถือเป็นความสำเร็จล่าสุดจากผู้นำด้านการจัดเก็บข้อมูลในช่วงเกือบสามทศวรรษอันยาวนานของวงการอุตสาหกรรมหน่วยความจำแฟลช
"การเปิดตัวชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์ ความจุ 512 กิกกะไบต์ ตัวแรกในวงการอุตสาหกรรมนี้เป็นอีกขั้นที่จะนำไปสู่ความก้าวหน้าของเทคโนโลยี3D NAND ความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลที่เพิ่มขึ้นเป็นสองเท่าจากที่เราได้เปิดตัวชิปที่มีสถาปัตยกรรมแบบ 64 เลเยอร์ตัวแรกของโลกไปเมื่อเดือนกรกฎาคม 2559" ดร.ศิวะ ศิวะราม รองประธานฝ่ายบริหาร แผนกเทคโนโลยีหน่วยความจำของเวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวและเพิ่มเติมว่า "การเพิ่มขึ้นมาในส่วนของชิปในกลุ่มผลิตภัณฑ์เทคโนโลยี 3D NAND ของเราที่ได้ขยายตัวขึ้นอย่างรวดเร็ว ทำให้เราเห็นถึงความต้องการที่เพิ่มขึ้นในเรื่องของการจัดเก็บเนื่องจากการเติบโตของข้อมูลที่เพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วทั้งในกลุ่มลูกค้าธุรกิจค้าปลีก อุปกรณ์เคลื่อนที่ และแอพพลิเคชั่นศูนย์ข้อมูล"
ชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์ ความจุ 512 กิกกะไบต์ ได้รับการพัฒนาร่วมกับเทคโนโลยีและการผลิตของบริษัทคู่ค้าโตชิบาของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล เปิดตัวความจุเบื้องต้นของเทคโนโลยี 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์ ตัวแรกของโลกเมื่อเดือนกรกฎาคม ปี 2559 และ เทคโนโลยี 3D NANDแบบ 48 เลเยอร์ ตัวแรกของโลก ในปี 2558 ซึ่งสินค้าที่เป็นเทคโนโลยีทั้งสองตัวนี้ยังคงถูกส่งไปยังลูกค้าปลีกและลูกค้าที่รับจ้างผลิต (OEM)
เวสเทิร์น ดิจิตอล ได้นำเสนอรายงานบทความวิชาการเกี่ยวกับความก้าวหน้าในการประมวลผลเซมิคอนดักเตอร์ในอัตรากว้างยาวระดับสูงซึ่งทำให้ความสำเร็จของเทคโนโลยีนี้เป็นไปได้ที่งานประชุมวงจรโซลิดสเตทนานาชาติ (International Solid State Circuits Conference หรือ ISSCC) สามารถดูข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ http://isscc.org/