"ความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 96 เลเยอร์ เป็นรายแรกในอุตสาหกรรมของเรานั้นได้ตอกย้ำความเป็นผู้นำของ เวสเทิร์น ดิจิตอล ในการพัฒนาหน่วยความจำแฟลช NAND และประสิทธิภาพการดำเนินการอย่างยอดเยี่ยมตามแผนเทคโนโลยีของเรา" ดร.ศิวะ ศิวะรามรองประธานบริหาร ฝ่ายเทคโนโลยีหน่วยความจำของบริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล กล่าวและเสริมว่า "BiCS4 สามารถจัดเก็บข้อมูลภายใต้โครงสร้าง 3 บิตต่อเซลล์ และ 4 บิตต่อเซลล์ นอกจากนี้ยังมีเทคโนโลยีและนวัตกรรมการผลิตเพื่อให้ชิป 3D NAND ได้มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลได้อย่างสูงสุด ประสิทธิภาพการทำงาน และความน่าเชื่อถือในระดับสูงสุดด้วยราคาที่น่าดึงดูดใจสำหรับลูกค้าของเรา ผลิตภัณฑ์ในกลุ่ม 3D NAND ของเวสเทิร์น ดิจิตอล นั้นถูกออกแบบมาเพื่อตอบโจทย์ผู้บริโภคที่หลากหลาย อุปกรณ์เคลื่อนที่ การประมวลผล และศูนย์ข้อมูล"
เวสเทิร์น ดิจิตอล ยังเน้นในเรื่องการดำเนินงานของศูนย์การผลิตที่เกิดจากการร่วมทุนในญี่ปุ่นที่มีความแข็งแกร่งอยู่อย่างต่อเนื่อง บริษัทฯ ย้ำว่าในปี พ.ศ.2560 ผลผลิตหน่วยความจำเทคโนโลยีชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์จะมีสัดส่วนมากกว่าร้อยละ 75 ของการผลิต 3D NAND ทั้งหมด บริษัทฯ เชื่อมั่นว่าการผนึกกำลังกับบริษัทคู่ค้า โตชิบา คอร์ปอเรชั่นจะทำให้ผลผลิตชิป 3D NAND แบบ 64 เลเยอร์ของบริษัทร่วมทุนทั้งหมดในปีปฏิทิน พ.ศ.2560 จะสูงกว่าผลผลิตของบริษัทผู้ผลิตทุกรายในอุตสาหกรรมภายในปีปฏิทิน พ.ศ. 2560